Визначено параметр анізотропії термоерс захоплення M у монокристалах n-Si (<$E rho sub {300~K}~symbol @~150~symbol Ш~170> Ом <$E cdot> см), легованих домішкою фосфору через розплав і в трансмутаційно легованих (ТЛ) зразках, недеформованих та одновісно пружно деформованих. Виявлено, що в ТЛ зразках <$E n- roman Si << P >> > M<^>ТЛ = <$E alpha sub || sup PHI "/" alpha sub {symbol <94>} sup PHI~symbol Ы~5>, а в звичайних кристалах кремнію M<^>ЗВ = <$E alpha sub || sup PHI "/" alpha sub {symbol <94>} sup PHI~symbol Ы~6,8>. Розписано компоненти тензора термоерс в термоелектрично-анізотропній пластині з градієнтом температури, орієнтованим уздовж нормалі до її поздовжньої осі та відхиленим на кут <$E phi> від осі анізотропії цієї пластини, а також наведено (за літературними даними) вираз для максимального коефіцієнта корисної дії анізотропного термоелемента. Одержано п'єзоопір і п'єзотермоерс звичайних і ТЛ кристалів, які виміряно (за температури T = 85 K) за умов X // J // [001] та X // <$E grad>T // [001] відповідно.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"