Ковальчук В. В. Физические основы микроэлектроники : [учеб. пособие] / В. В. Ковальчук, А. Н. Сиротенко, В. А. Рац; Ин-т инновац. технологий и методов обучения. - О. : Изд. Букаев В.В., 2012. - 153 c. - Библиогр.: с. 153 - рус.Рассмотрены полупроводниковые материалы, собственная и примесная проводимость полупроводников, неравновесная концентрация носителей и ток в полупроводниках. Дана характеристика статистического распределения носителей тока в полупроводниках, описана функция Ферми - Дирака, смещение уровня Ферми. Приведена детальная информация об электронно-дырочном переходе, полупроводниковых диодах, их параметрах и типах. Значительное внимание уделено описанию устройства и принципа действия биполярного бездрейфового транзистора, полевого (униполярного) транзистора, тиристоров. Приведены общие сведения о микросхемах и технологиях получения интегральных микросхем (ИМС). Індекс рубрикатора НБУВ: З852 я73-1 + В379.2 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА753639 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|