Розглянуто загальну теорію багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу (БУПІ) поза залежності від способів їх реалізації. Надано визначення, класифікацію й обгрунтування основних параметрів БУПІ. Запропоновано математичні моделі БУПІ на триполюсниках як їх первинної комірки, а також на N-полюсниках, які надають можливість реалізації різновидів БУПІ. Обгрунтовано критерії оцінювання ефективності БУПІ на базі N-полюсників. Розроблено математичні моделі однокристальних багатоелектродних напівпровідникових структур, включаючи біполярні, польові, одноперехідні й інженерно-пролітні транзисторні структури, а також двозатворні польові структури. Наведено результати аналізу та розробки метрологічного забезпечення досліджень однокристальних БУПІ. Описано результати числових і натурних досліджень однокристальних БУПІ на базі різноманітних напівпровідникових структур у діапазоні частот і перетворюваних імітансів. Розглянуто питання оптимізації напівпровідникових структур, які використовуються в однокристальних БУПІ з точки зору підвищення їх ефективності і реалізованих на їх основі інформаційних пристроїв.

• Ліщинська Людмила Броніславівна (1966–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"