З'ясовано фізичні механізми чутливості вузькощілинного напівпровідникового з'єднання кадмій - ртуть - телур (КРТ) в терагерцовій та субтерагерцовій областях спектра за температур 60 - 300 К. Експериментально встановлено чутливість Hg _1-xCd _xTe у вказаній спектральній та температурній областях і досліджено її зміни у разі зміни параметрів напівпровідника або режимів роботи. На основі порівняння одержаних експериментальних результатів з розрахунками в межах моделі болометра, що працює на ефекті розігріву носіїв в біполярному напівпровіднику показано, що механізмом чутливості даних приймачів на основі Hg _1-xCd _xTe в терагерцовій області спектра є розігрів носіїв заряду електромагнітною хвилею, що поширюється в шарі КРТ як у хвилеводі. Оцінено величини шумів, вольт-ватну чутливість і потужність еквіваленту шуму даних приймачів і визначено режими їх роботи та параметри твердого розчину Hg _1-xCd _xTe, які дозволяють оптимізувати конструкцію приймачів для роботи за незначного охолодження.

• Кухтарук Наталія Іванівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"