Запропоновано та досліджено метод окиснення у плазмі магнетрону постійного струму за створення високоякісного тунельного бар'єра у надпровідникових переходів Nb/Al-AlO _x/Nb. Підвищення якості бар'єра, на відміну від зарубіжних технологій, забезпечується відсутністю бомбардування вирощуваного оксиду високоенергетичними електронами та відсутністю зереннограничної дифузії кисню під час тривалого термічного окислення. Надано математичну модель перехідного шару двошарової тонкоплівкової структури й обгрунтовано застосування методу профілів анодування для кількісної оцінки його товщини. Метод профілів анодування знайшов подальший розвиток за побудови тривимірної залежності розподілу товщин напилюваних плівок і визначення області однорідності товщин. Показано, що тонкоплівкова Al/Nb технологія, оснащена методом профілів анодування, дозволяє створення хвилеводних сенсорів з металевим підшаром на основі плівок Al-Nb ₂O ₅.

• Шпильовий Павло Борисович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"