Встановлено фазові рівноваги в системах Ga(In, Tl)-S(Se, Te)-O(N), досліджено механічні й електрохімічні властивості, дефектну структуру монокристалів A ^IIIB ^VI та їх залежність від тиску, температури та наводнювання. Методами комбінаційного розсіяння світла й аналізу констант рівноваги хімічних реакцій досліджено кінетику формування манодротин і нанотрубок окислів індію та галію. Одержано нанокристали моноселепіду галію методами колоїдної хімії з застосуванням традиційного модифікованого металоорганічного та безмегалоорганічного синтезу, описано їх оптичні та структурні особливості, запропоновано механізми утворення наночастинок, визначено їх морфологію та фізичні параметри. Кількісно і якісно проаналізовано адсорбційні процеси на сколах монокристалів А ^IIIВ ^VI, одержаних у надвисокому вакуумі і на повітрі, зокрема, показано існування на надвисоковакумних сколах монокристала In ₄Se ₃ надструктури кластерів з середнім діаметром 20 нм та їх впорядкування. Встановлено об'ємний та поверхневий фазовий склад телуридів галію і індію за термічного окиснення, а також температури їх існування. Показано, що за окиснення на поверхні GaTe утворюється мережа організованих нанодротів, а у випадку телуридів індію - масиви мікро- та нанокристалічних блоків. Показано, що пасивація молекулярним пучком селеніду галію надвисоковакуумного сколу In ₄Se ₃ супроводжується перебудовою поверхні кристалу, відпал приводить до протікання інтерфейсної реакції з утворенням Ga ₂Se ₃ та наноострівків металічного індію, що є актуальним з погляду інженерії металічних нанооб'єктів.

• Балицький Олексій Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"