Круковський С. І. Властивості подвійних гетеропереходів <$E bold p sup +>-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 74-80. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.За допомогою методу рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p<^>+-InP/n-InGaAsP/n-InP і з'ясовано взаємозв'язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p - n-переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77 - 378 К і виявлено, що за температур 77 - 250 К реалізуються тунельні струми за прямих та зворотних напруг зміщення. За температур Т >> 290 К переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих у процесі вирощування гетеропереходів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|