Данько В. А. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx / В. А. Данько, І. З. Індутний, О. Ф. Коломис, В. В. Стрельчук, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 103-110. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) - <$E DELTA E sub g> - наночастинок As2S3 у матриці SiO1,5. Під час формування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш'яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 відбувається зменшення концентрації S - S- та збільшення концентрації As - As-зв'язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення <$E DELTA E sub g> (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As2S3/SiO1,5 шарах у порівнянні з суцільними As2S3 плівками. Ефект збільшення <$E DELTA E sub g> у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As2S3, які знаходяться в діелектричній матриці. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + Ж364.206.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|