Досліджено концентраційну залежність фононної складової термоерс захоплення електронів фононами в n-Ge за T = 83 К. В інтервалі <$E 9,8~cdot~10 sup 11 ~symbol Г~n sub e~symbol Г~1,7~cdot~10 sup 15~roman см sup -3> вивчено концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості K та параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами M, a також встановлено зв'язок, що існує між M, K і фононними складовими термоерс зразків у недеформованому і пружно деформованому станах. На кристалах n-Ge у діапазоні <$E 1,51~cdot~10 sup 15~symbol Г~n sub e ~symbol Г~4,86~cdot~10 sup 17~roman см sup -3> одержано (за кімнатної температури) концентраційну залежність диференційної термоерс <$E alpha>, а також досліджено температурну залежність <$E alpha> в інтервалі від <$E [ 190~symbol Г~T~symbol Г~370 ]> K.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51 + В379.274

Рубрики:

Термоелектричні явища

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"