Наведено результати моделювання впливу міграції іонів у напівпровідникових кристалітах оксиду цинку за тривалого протікання робочого електричного струму на вольтамперні характеристики (ВАХ) варисторних структур і визначення умов та параметрів, придатних для контролю процесу їх незворотної деградації. Встановлено, що більш схильна до змін (накопичення приповерхневої концентрації донорів, зменшення висоти й товщини) складова міжкристалітного потенціального бар'єра, яка утворюється областю просторового заряду кристаліта, є зворотно зміщеною під час протікання деградаційного струму. У процесі деградації варисторна ділянка прямої (стосовно струму деградації) гілки ВАХ більше зміщується в область менших напруг, а струм витоку більше зростає для слабонелінійної ділянки зворотної гілки ВАХ. Показано відповідність тенденцій зміни основних варисторних параметрів (зниження класифікаційної напруги, зменшення коефіцієнта нелінійності та збільшення струму витоку), котрі одержані з аналізу розвинутої моделі, відомим експериментальним даним і можливість оцінки коефіцієнта дифузії заряджених донорів та використання цього параметра у контролі працездатності виробів на основі варисторних оксидно-цинкових структур з тунельною ВАХ.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іванченко Оксана Володимирівна (соціальні комунікації)
• Іванченко Олександр Валерійович (технічні науки)
• Іванченко Олександр Володимирович (фізико-математичні науки)
• Іванченко Олександр Васильович (технічні науки)
• Іванченко Олег Васильович (технічні науки)
• Іванченко Олег Васильович (військові науки)
• Тонкошкур Олександр Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"