Получены и исследованы перспективные переходы Джозефсона вида MgB2 - оксид - Mo - Re-сплав, Mo - Re-сплав - оксид - Pb и Mo - Re-сплав - нормальный металл - оксид - нормальный металл - Mo - Re-сплав. Тонкие (50 - 100 нм) Mo - Re-сверхпроводящие плёнки осаждались на Al2O3 подложки с использованием dc-магнетронного метода распыления Mo - Re-мишеней. Тонкие (50 - 100 нм) MgB2-сверхпроводящие плёнки осаждались на Al2O3-подложки методом электронно-лучевого испарения бора и термического соиспарения магния. Тонкие плёнки нормальных металлов (Sn, Al, Mg) осаждались на поверхность Mo - Re-плёнок путём термического испарения металлов в вакууме и затем окислялись с целью создания оксидных барьеров создаваемых переходов Джозефсона. Экспериментально измерялись квазичастичные вольтамперные характеристики (ВАХ) создаваемых переходов в широком диапазоне напряжений. Для исследования функций распределения прозрачностей барьеров создаваемых переходов выполнялось компьютерное моделирование измеряемых квазичастичных ВАХ в рамках модели многоразовых андреевских отражений в двойных интерфейсах переходов. Продемонстрировано, что исследуемые переходы могут быть описаны как сильно несимметричные двухбарьерные переходы Джозефсона с сильно отличающимися по прозрачности барьерами. Обсуждены результаты сравнения экспериментальных и рассчитанных квазичастичных ВАХ.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шаповалов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)
• Пріхна Тетяна Олексіївна (1957–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"