Программа моделирования SCAPS-10 использована для изучения структуры n-ZnO/p-Si-гетероперехода солнечных элементов. Эта программа предназначена в основном для моделирования и изучения свойств фотонных устройств. Исследованы важные контролируемые параметры дизайна, влияющие на работу p - n-перехода СЭ, такие как рабочая температура, поскольку обнаружено повышение характеристики J - V за счёт увеличения Т, изучено влияние толщины каждого слоя на эффективность СЭ и отмечено повышение J - V-характеристики с увеличением толщины p-слоя. В примере с оптимальными параметрами толщины слоя p = 3 мм, n = 3 мм, Na = Nd = 10<^>19 при 300 К получены такие результаты: <$E eta~=~5,83> %, <$E V sub oc~=~0,589> V, <$E J sub SC~=~12,451> мкА/см<^>2; в данном случае подобраны оптимальные параметры для достижения максимальной производительности этого типа гетеропереходов и сделано сравнение с практической n-ZnO/p-Si-ячейкой СЭ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"