Пагава Т. А. Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами / Т. А. Пагава, Д. З. Хочолава, Н. И. Майсурадзе, Л. С. Чхартишвили // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 5. - С. 525-530. - Библиогр.: 23 назв. - рус.Исследованы образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. По температурным зависимостям параметров при изохорном отжиге облученных образцов проведена идентификация различных радиационных дефектов. На основании анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока tau, удельного сопротивления rho, концентрации p и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tотж выявлены особенности отжига muH и p. Определено, какие радиационные дефекты являются рекомбинационными центрами. По кривым изохронного отжига, проведенным при различных интервалах времени, определены энергии активации отжига Eотж некоторых радиационных дефектов. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|