Исследованы образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. По температурным зависимостям параметров при изохорном отжиге облученных образцов проведена идентификация различных радиационных дефектов. На основании анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока tau, удельного сопротивления rho, концентрации p и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tотж выявлены особенности отжига muH и p. Определено, какие радиационные дефекты являются рекомбинационными центрами. По кривым изохронного отжига, проведенным при различных интервалах времени, определены энергии активации отжига Eотж некоторых радиационных дефектов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"