Luniov S. V. Deformation potential constants <$E bold XI sub u> and <$E bold XI sub d> in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect / S. V. Luniov, L. I. Panasiuk, S. A. Fedosov // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 6. - С. 636-641. - Библиогр.: 18 назв. - англ.На базі вимірювань поздовжнього п'єзоопору для випадку, коли X//J//[100], і теорії анізотропного розсіяння визначено константи деформаційного потенціалу <$E XI sub u> та <$E XI sub d> в gamma-опроміненому n-Si. Показано, що під час визначення параметра анізотропії часів релаксації для n-Si з глибоким енергетичним рівнем Ec - 0,17 еВ необхідно враховувати залежність концентрації іонізованих глибоких центрів від деформації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7 + В379.327
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|