Охарактеризовано вплив відпалу на фотолюмінесцентні властивості CdTe:Ti. Подано амплітудні характеристики акустопровідності за імпульсного ультразвукового навантаження. Проведено кількісний аналіз ефекту нульового відбиття в кристалах. Визначено вплив поперечного електричного поля на термоелектричні властивості напівпровідникових плівок. Висвітлено особливості вимірювання вольтамперних характеристик кремнієвих FET-структур з нанопроводами. Описано вплив радіаційного опромінення на електричні характеристики потужних InGaN/GaN світлодіодів. Проаналізовано оптичні властивості скловидних іонних рідкокристалічних нанокомпозитів на основі октаноату кадмію з наночастинками халькогенідів кадмію. Увагу приділено розгляду еволюції дефектів у приповерхневому шарі p-Si, яка стимульована дією малих доз радіації та слабких магнітних полів. Акцентовано на застосуванні мікролітографії для виготовлення дифракційних оптичних елементів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"