Представлены результаты исследования параметров фазовращателя со сдвигом фазы от 0 до <$Epi> на основе двух СВЧ 4HSiC p-i-n-диодов. Диоды имеют пробивное напряжение 500 - 700 В при обратном токе 20 мкА, сопротивление 2,5 - 3,0 Ом при прямом токе 100 мА, емкость 0,3 пФ при обратном напряжении 40 В и время переключения c прямого тока 100 мА на обратное напряжение 15 В, равное 20 нс. Потери фазовращателя в диапазоне частот 2,4 - 2,6 ГГц при сдвиге фазы <$E0 symbol Р roman С> составляют 0,8 - 1,3 дБ, при сдвиге фазы 175 - 179, <$E5 symbol Р roman С> составляют 1,7 - 2,5 дБ.

Наведено результати дослідження параметрів фазообертача зі зсувом фази від 0 до <$Epi> на основі двох НВЧ 4HSiC p-i-n-діодів. Діоди мають пробивну напругу 500 - 700 В за зворотного струму 20 мкА, опір 2,5 - 3,0 Ом за прямого струму 100 мА, ємність 0,3 пФ за зворотної напруги 40 В та час перемикання діода з прямого струму 100 мА на зворотню напругу 15 В - 20 нс. Втрати фазообертача в діапазоні частот 2,4 - 2,6 ГГц при зсуві фази <$E0 symbol Р roman С> становлять 0,8 - 1,3 дБ, за зсуву фази 175 - 179, <$E5 symbol Р roman С> становлять 1,7 - 2,5 дБ.

The paper presents the results of studying the parameters of the phase shifter with a phase shift from 0 to <$Epi> on the basis of two microwave 4HSiC p-i-n-diodes. Diodes have a breakdown voltage of 500 - 700 V at 20 mA reverse current, the resistance of 2,5 - 3,0 ohms at forward current of 100 mA, capacity of 0,3 pF at reverse voltage of 40 V and switching time from direct current of 100 mA to reverse voltage 15 V - 20 ns. In the frequency range of 2,4 - 2,6 GHz the phase shifter loss with a phase shift of <$E0 symbol Р roman С> are 0,8-1,3 dB, and with a phase shift 175-179, <$E5 symbol Р roman С> are 1,7-2,5 dB.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"