Представлены экспериментальные результаты по исследованию в интервале температур 77 - 773 К основных параметров и характеристик карбид-кремниевых p-i-n-диодов. Показана работоспособность p-i-n-диода до температуры <$E500 symbol Р roman С> в составе полоскового модулятора.

Наведено експериментальні результати з дослідження в інтервалі температур 77 - 773 К основних параметрів і характеристик карбід-кремнієвих p-i-n-діодів. Показано працездатність p-i-n-діода до температури <$E500 symbol Р roman С> у складі полоскового модулятора.

The experimental results of investigation of the principal parameters and characteristics of silicon carbide p-i-n-diodes in the 77 - 773 K temperature range are presented. The functionality of p-i-n-diode included into a strip modulator at temperature below <$E500 symbol Р roman С> is demonstrated.

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Кудрик Ярослав Ярославович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"