Приведены результаты исследований по созданию источников СВЧ-мощности импульсного действия с использованием лавинно-пролетных диодов (ЛПД). Для создания диодов использовались кремниевые двухрейфовые структуры с плоским профилем легирования примесей <$Ep sup + ~- ~n ~- ~n ~- ~n sup +>-типа. Показана возможность увеличения средней выходной СВЧ-мощности ЛПД без использования алмазного теплоотвода в миллиметровом диапазоне длины волны в квазинепрерывном режиме работы при применении кольцевых структур.

Наведено результати досліджень зі створення джерел СВЧ-потужності імпульсної дії з використанням лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Для створення діодів використовувалися кремнієві дворейфові структури з плоским профілем легування домішок <$Ep sup + ~- ~n ~- ~n ~- ~n sup +>-типу. Показано можливість збільшення середньої вихідної СВЧ-потужності ЛПД без використання діамантового тепловідводу в міліметровому діапазоні довжини хвилі в квазібезперервному режимі роботи за використання кільцевих структур.

Results of researches of sources of pulse microwave power with use of IMPATT diodes are presented. For creation of diodes were used the silicon double drift structures with a flat profile of <$Ep sup + ~- ~n ~- ~n ~- ~n sup +>-type impurity. It is shown the possibility of increasing an average microwave power of IMPATT diode without use of a diamond heat-conducting path in a millimeter range of wavelength in a quasi continuous operating mode with the use of ring structures.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"