Исследована температурная зависимость напряжения пробоя карбид-кремниевых диодов с барьером Шоттки <$Eroman {Au-Tі-n-n sup +}>-6H-SiC в интервале температур 77 - 573 К. Показано, что в этом температурном интервале температурный коэффициент напряжения отрицательный, что предположительно, обусловлено влиянием на пробой глубоких уровней в области пространственного заряда.

Досліджено температурну залежність напруги пробою карбід-кремнієвих діодів з бар'єром Шотткі <$Eroman {Au-Tі-n-n sup +}>-6H-SiC в інтервалі температур 77 - 573 К. Показано, що в цьому температурному інтервалі температурний коефіцієнт напруги є негативним, що, можливо, зумовлено впливом на пробій глибоких рівнів в області просторового заряду.

The article describes the research on temperature dependence of breakdown voltage in silicon carbide Schottky barrier diodes, <$Eroman {Au-Tі-n-n sup +}>-6H-SiC, in the 77 - 573 K temperature range. It is shown that temperature coefficient of breakdown voltage is negative in the above temperature range. This seems to be caused by the effect of deep levels in the space-charge region on the breakdown.

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Кудрик Ярослав Ярославович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"