Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов <$Eroman Au-TiB sub 2-Ge-Au-n ~- ~n sup + ~- ~n sup ++ ~- ~InP> описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига.

Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів <$Eroman Au-TiB sub 2-Ge-Au-n ~- ~n sup + ~- ~n sup ++ ~- ~InP> описується моделлю струмопереносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані за різних температурах відпалу.

It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts <$Eroman Au-TiB sub 2-Ge-Au-n ~- ~n sup + ~- ~n sup ++ ~- ~InP> is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures.

• Новицький Сергій Вадимович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"