Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si-пластин в широком диапазоне значений.

Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p-n-переходами, що складається з чотирьох послідовно з'єднаних <$En sup + ~-~ p ~-~ p sup +>-структур. Розрахунки виконано за допомогою програмного пакета Silvaco TCAD. Досліджено залежність основних характеристик сонячного елемента від товщини кремнієвих пластин в широкому діапазоні значень.

A multijunction silicon solar cell with vertical pЦn junctions consisted of four serial <$En sup + ~-~ p ~-~ p sup +>-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"