Ваків М. М. Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2012. - № 734. - С. 80-84. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.Досліджено залежність концентрації електронів і дірок в епітаксійних шарах InAs, одержаних із індієвих розплавів, легованих кремнієм, в інервалі температур 880 - 820 і 780 - 630 градусів за Цельсієм. Встановлено, що у високотемпературному інтервалі кристалізуються епітаксійні шари InAs p-типу провідності, а в низькотемпературному - n-типу провідності. Цей ефект пояснюється амфотерною поведінкою кремнію в шарах InAs. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|