Лорія М. Г. Фізико-хімічні основи технології радіоелектронних апаратів : навч. посіб. / М. Г. Лорія, О. Б. Целіщев, П. Й. Єлісєєв, І. І. Захаров, А. В. Марченко; ред.: І. І. Захаров; Східноукр. нац. ун-т ім. В. Даля. - Сєвєродонецьк, 2013. - 239 c. - Бібліогр.: с. 167-168 - укp.Подано загальні відомості про технологію інтегральних мікросхем, надано їх класифікацію та описано основні технологічні операції з виготовлення напівпровідникових мікросхем. Розглянуто методи вирощування кремнієвих монокристалічних злитків. Описано всі основні технологічні операції формування структури напівпровідникової мікросхеми, а саме: окиснення поверхні кремнієвої пластини, епітаксію, фотолітографію, легування за допомогою дифузії та іонної імплантації тощо. Як приклад для аналізу технологічних операцій обрано епітаксіально-планарний транзистор, бо в процесі його виготовлення застосовуються практично всі типові технологічні операції. Досліджено процеси, що лежать в основі технології виготовлення тонко- та товстоплівкових гібридних інтегральних мікросхем, а саме: напилювання на діелектричну подложку тонких плівок іонно-плазмовими методами та термовакуумним випарюванням; формування плівок методом трафаретної печатки. Індекс рубрикатора НБУВ: З844-01 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА766522 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|