Первак Ю. А. Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами / Ю. А. Первак, В. В. Федоров // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2012. - 10, вип. 3. - С. 467-476. - Библиогр.: 8 назв. - рус.Исследованы спектральные характеристики пропускания пространственно-ограниченных 1D фотонных кристаллов (ФК) с тремя полуволновыми дефектами. ФК состоит из 49 чередующихся слоев оксидов кремния и титана. Найдена структура кристалла и положение полуволновых дефектов, при которых в области фотонной запрещенной зоны отчетливо проявляются 3 узкие разрешенные зоны. Исследовано влияние степени согласованности дефектов на положение возникающих разрешенных зон и пространственное распределение электрического поля в 1D ФК. Установлено, что электрическое поле концентрируется в середине дефектных слоев с меньшей диэлектрической проницаемостью, а в случае высокой диэлектрической проницаемости дефектного полуволнового слоя - на интерфейсах слоев с низкой и высокой диэлектрической проницаемостью. Показано, что при увеличении разницы в толщине центрального и двух крайних резонаторов, образующих дефекты ФК, существенно возрастает электрическое поле в области резонаторов. При разнице в толщинах 40 % электрическое поле в области резонаторных слоев превышает электрическое поле на входной поверхности в 5000 раз. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.3 + В372.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|