РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000390389<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Druzhinin A. A. Influence of dispersion of polysilicon on low-temperature conductivity in SOI-structures = Вплив дисперсії полікремнію на низькотемпературну провідність в КНІ-структурах / A. A. Druzhinin, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko, R. M. Koretskii // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 3. - С. 753-756. - Библиогр.: 12 назв. - англ. The studies of temperature dependence of conductivity, impedance analysis and magnetoresistance of SOI-structures with polysilicon resistors with carrier concentration <$E 3,9~cdot~10 sup 19>, <$E 2,4~cdot~10 sup 18~roman сm sup -3> before recrystallization and <$E 1,7~cdot~10 sup 20>, <$E 4,8~cdot~10 sup 18~roman сm sup -3> after recrystallization in temperature range 77 - 300 K are presented. The dimensions of polysilicon resistor in SOI-structure are <$E 80~times~8~times~0,5~mu roman m>. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ  Повний текст Наукова періодика України  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського