За допомогою методу рідинно-фазової епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p<^>+-InP/n-InGaAsP/n-InP і встановлено взаємозв'язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p - n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77 - 378 K і встановлено, що за температур 77 - 250 K реалізуються тунельні струми у випадку прямих і зворотних напруг зміщення. За температур T більше 290 K переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих в процесі вирощування гетеропереходів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Круковський Семен Іванович (технічні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Мрихін Ігор Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"