Сингаївська Г. І. Електричні та високочастотні властивості компенсованого GaN в умовах електронного стримінгу / Г. І. Сингаївська, В. В. Коротєєв // Укр. фіз. журн. - 2013. - 58, № 1. - С. 40-55. - Бібліогр.: 46 назв. - укp.Проаналізовано умови існування стримінгу та ефекту прольотного резонансу на оптичних фононах у компенсованому об'ємному GaN. За допомогою методу Монте-Карло проведено розрахунки високочастотної диференціальної рухливості. Показано, що за низьких температур гратки 30 - 77 K в електричних полях 3 - 10 кВ/см у терагерцовому діапазоні частот може існувати динамічна від'ємна диференціальна рухливість. Виявлено нові ознаки ефекту стримінгу - анізотропію динамічної диференціальної рухливості й особливу поведінку коефіцієнта дифузії у перпендикулярному до постійного електричного поля напрямку. Побудовано теорію проходження терагерцового випромінювання через структуру з епітаксійним шаром GaN. Одержано умови підсилення електромагнітних хвиль в діапазоні частот 0,5 - 2 ТГц. В електричних полях, більших, ніж 1 кВ/см, спостерігається поляризаційна залежність коефіцієнта проходження випромінювання через структуру. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|