Розглянуто синтез високоякісних однофазних термоелектричних матеріалів (таких як PbTe n-типу / TAGS-85 ((AgSbTe2)0,15(GeTe)0,85) p-типу й сплав Si - Ge) і питання, пов'язані з виготовленням з них термоелектричних пристроїв. У пристроях на основі PbTe n-типу / TAGS-85 p-типу внесок контактного опору в загальний опір пристрою складає усього 3,0 %. Пристрій складається з однієї p-n вітки (діаметр кожного елемента 7,5 мм), що генерує вихідну потужність 0,61 Вт (за робочого струму ~ 17 A) за температури гарячої сторони <$E T sub h~=~500~symbol Р>C і різниці температур <$E DELTA T~=~410~symbol Р>C. ККД одержаних пристроїв становив 6 %. Для пристроїв на основі Si - Ge внесок контактного опору в загальний опір пристрою становить близько 50 %. Пристрій на основі Si - Ge з однієї p-n вітки, який працює за температури гарячої сторони 900 <$E symbol Р>C (з різницею температур 600 <$E symbol Р>C), демонструє вихідну потужність 0,49 Вт. Низький ккд перетворення пристрою ~ 1,2 % пояснюється високим контактним опором.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.4 + З843.3-06

Рубрики:

Теплоелектричні генератори. Термопари

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"