Параметр термоелектричної ефективності (ТЕ) за різних рівних умов вищий в однорідних кристалах. Розглянуто можливість підвищення ступеня однорідності кристалів шляхом уведення нестандартної легуючої домішки для сполук A<^>5B<^>6 - домішки олова. В Bi2Te3 легування атомами Sn призводить до появи квазілокальних домішкових станів на фоні дозволеного енергетичного спектра й розташованих поблизу верха валентної зони додаткового екстремуму. Більша густина цих станів призводить до стабілізації хімічного потенціалу й до збільшення електричної однорідності кристалів. Вивчено вплив ізовалентного заміщення атомів у підгратці Bi або Te у монокристалах Bi2Te3:Sn. Виміряно основні транспортні коефіцієнти: теплопровідності, електропровідності, Холла, Зеєбека й Нернста-Еттінгсгаузена. Усі кристали вирощені за методом Чохральського. Залежно від сполуки зразки мали й n-, і p-тип провідності. Встановлено, що із заміною атомів Bi на Sb і Te на Se у кристалах Bi2Te3:Sn зберігається утворення квазілокальних станів олова у валентній зоні. Крім того, на всіх кристалах з оловом був знайдений більш однорідний розподіл концентрації носіїв струму.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.51

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"