Будзуляк С. І. Тензорезистивні ефекти в сильнодеформованих кристалах n-Si та n-Ge / С. І. Будзуляк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 1. - С. 34-39. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Встановлено, що поряд із класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові механізми, які пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно-індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильнолегованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал - ізолятор одержано залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З'ясовано особливості ударної іонізації станів мілких домішок на ізоляторній стороні деформаційно-індукованого переходу метал - ізолятор для сильнолегованих кристалів кремнію та германію n-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлених наявністю високотемпературних технологічних термодонорів. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.222 + В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|