У кремнієвій технології формування структур BIC для зміни ефективної дії гетера кількісною характеристикою-параметром визначено ріст часу життя неосновних носіїв заряду [1]. Це відповідно дозволяє прирівнювати за дією також кількісний характер, за допомогою якого можна оцінювати ефективність дії гетерних технологій по відношенню до арсеніду галію. Таким параметром обрано холлівську рухливість носіїв заряду. Дані дослідження є особливо актуальними сьогодні під час визначення технології формування самосумісних К-МОН-структур на епітаксійному арсеніді галію.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)
• Возняк Юрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"