Досліджено електронну структуру різних фаз системи Sn - Sb - O2 під тиском, а також під впливом тетрагональної, орторомбічної і моноклінної деформацій. Розрахунки проведено з використанням першопринципного методу псевдопотенціалу. Показано, що SnO2 демонструє ряд фазових перетворень під тиском: рутил - пірит (17 ГПа) і пірит - флюорит (138 ГПа). Виявлено, що легування SnO2 сурмою призводило до зміщення рівня Фермі в смугу провідності та до появи додаткових резонансних станів нижче валентної смуги. Неоднорідне деформування структур SnxSb1-xO2, x = 1,00; 0,94; 0,88 при <$E delta~symbol Г~0,2>, створює напруженість в системі до 6,2 ГПа залежно від деформації. Проаналізовано щільність електронних станів в області енергетичної щілини деформованих структур. Показано, що енергетична щілина розширюється при тетрагональних і звужується при орторомбічній і моноклінній деформаціях. Одержані теоретичні результати повинні враховуватись, зокрема, для інтерпретації тензорезистивних властивостей товстих плівок на основі Sn - Sb - O2.

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.1 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іващенко Володимир Іванович (1956–) (фізико-математичні науки)
• Гончар Артур Григорович (фізико-математичні науки)
• Іващенко Людмила Анатоліївна (економічні науки)
• Іващенко Людмила Андріївна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"