Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну концентрації вільних електронів у n-Si, вирощеному за допомогою методу Чохральського (Cz), опроміненому електронами з енергією 1 МеВ. Встановлено, що домішка олова прискорює деградацію провідності в опроміненому n-Si. Показано, що це прискорення є значним у більш високоомних зразках, а у низькоомних зразках швидкості видалення вільних електронів в обох матеріалах майже зрівнюються. Цей факт пояснюється відмінністю у ефективностях утворення основних компенсуючих радіаційних дефектів у n-Si з Sn (комплексів SnV і VP) та n-Si без Sn (головним чином комплексів VР) залежно від концентрації фосфору в зразках.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"