За допомогою ядерних аналітичних методів резерфордівського зворотного розсіяння та індукованого частинками характеристичного рентгенівського випромінювання досліджено поверхневі наношари структури золото - кремній. Від параметрів цих шарів кардинально залежать електротехнічні властивості побудованих на їх основі електронних приладів. Вимірювання виконано на прецизійній мікроаналітичній установці "Скануючий ядерний зонд" щойно введеній в експлуатацію в лабораторії "Спектр". Експеримент показав, що товщина шару золота, напиленого на поверхню зразків, дорівнює ~ 17 нм (для одного зразка) і ~ 20 нм (для другого зразка). Неоднорідність товщини цих шарів по поверхні не перевищує 1,6 нм і не виходить за межі похибки експерименту. Під золотом, у проміжному шарі золото - кремній, виявлено значну кількість домішки. Ймовірно, що це залишок фтору після технологічної операції травлення поверхні кремнію в суміші кислот, куди входить і плавикова кислота. Показано, що кількість виявленого фтору для серії вимірів сильно корелює з величиною струму альфа-частинок на мішені під час набору спектра. Очевидно, що локальний нагрів мішені залежить від величини струму. Звідси випливає різна швидкість локальної дифузії атомів фтору з поверхні мішені.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"