![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000393624<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the breakdown characteristics of Si and GaAs p - n junctions / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova, G. V. Dovganyuk // Фотоэлектроника. - 2012. - Вып. 21. - С. 127-131. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Исследовано влияние паров аммиака и воды на вольтамперные характеристики обратных токов в p - n переходах на основе Si и GaAs. В большинстве исследованных образцов пары аммиака и воды уменьшают напряжение пробоя. На некоторых образцах наблюдался обратный эффект. Это различие обусловлено доминированием различных поверхностных центров, имеющих донорные либо акцепторные свойства. Некоторые p - n переходы имеют фиксированное напряжение пробоя независимо от присутствия паров аммиака и воды. Такое поведение обусловлено локализацией пробоя в объеме кристалла в таких образцах. Таким образом, влияние паров аммиака на напряжение пробоя дает информацию о локализации пробоя и о зарядовом состоянии поверхностных центров. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В333.78
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|