Стороженко И. П. Варизонные GaBN и InBN диоды Ганна / И. П. Стороженко, А. Н. Ярошенко, И. В. Магда, Ю. В. Аркуша // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка. - 2012. - № 1010. - С. 44-47. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Исследовано возникновение волн пространственного заряда в варизонных InBN и GaBN диодах Ганна с длиной активной области 2,5 мкм и омическими контактами. Получены выходные характеристики диодов при разном содержании BN в области катодного контакта. Найдено оптимальное распределение бинарной компоненты BN. Показано, что варизонные InBN и GaBN диоды Ганна по эффективности генерации и выходной мощности в 2 раза превосходят однотипные InN, GaN, а также варизонные AlInN и AlGaN диоды. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|