Исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа "эндвич" на основе GaAs. Рассмотрена структура диода с одно- и двухуровневой моделью РТГ. Проведен температурный анализ ВАХ и эффективности генерации. Показано, что уменьшение температуры способствует увеличению кпд. Рассмотрено, как влияют различные варианты концентрации РТГ на ВАХ и эффективность генерации диода с РТГ. Показано, что увеличение концентрации смещает в сторону больших значений максимальный ток и пороговое напряжение на ВАХ данной структуры.

• Боцула Олег Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"