За допомогою методів електронної спектроскопії (ФЕС, ОЕС та ДПЕ) досліджено структурні та електронні властивості атомарно чистої поверхні Si(113) та системи Sb/Si(113). Встановлено, що адсорбція Sb на поверхні Si(113) призводить до зміни роботи виходу поверхні за рахунок зміни ефективної електронної спорідненості поверхні та загину зон поблизу поверхні. При відпалі системи Sb/Si(113) в діапазоні 20 - 750 <$E symbol Р>C утворюються поверхневі фази <$E1~times~1> (<$E THETA sub roman Sb~symbol Ы~1,3> МШ), <$E 1~times~2> (<$E THETA sub roman Sb~symbol Ы~1,0> МШ), <$E 1~times~n> (n = 3 - 4, <$E THETA sub roman Sb~symbol Ы~0,5> МШ) з характерними значеннями загину зон та ефективної електронної спорідненості.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.23

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"