Вивчено вплив протонного опромінення з енергією 6,8 МеВ і дозами до <$E 1~times~10 sup 17> р<^>+/см<^>-2 і відпалу за температур <$E 100~-~300~symbol Р roman C> на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (x = 0,03) з концентрацією домішок поблизу переходу метал - діелектрик в інтервалі температур 4,2 - 300 K у магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено, що опромінення дозою <$E 5~times~10 sup 15> р<^>+/см<^>-2 практично не змінює провідності кристалів, тоді як опромінення дозою <$E 1~times~10 sup 16> р<^>+/см<^>-2 і відпал призводить до істотного зменшення опору та зміни магнетоопору НК Si1-xGex в інтервалі температур 4,2 - 40 K. Одержані результати пояснено в межах аналізу стрибкової провідності по домішковій зоні у кристалах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Дружинін Анатолій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Островський Ігор Петрович (фізико-математичні науки)
• Ховерко Юрій Миколайович (технічні науки)
• Павловська Надія Тарасівна (фізико-математичні науки)
• Павловський Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Корецький Роман Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"