Галій П. В. Растрова електронна та атомно-силова мікроскопії радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електронному опроміненні / П. В. Галій, Т. М. Ненчук, О. П. Поплавський, О. Я. Тузяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 3. - С. 827-835. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.Наведено результати дослідження за допомогою методів растрової електронної та атомно-силової (АСМ) мікроскопій закономірностей процесів деструкції, дефектоутворення та радіолізу поверхні плівок СsI у процесі опромінення електронами середніх енергій у широкому діапазоні потужностей і доз опромінення. Оцінено потужності та дози опромінення, за яких відбувається поява фазових наноутворень і нано- та мікропор на поверхні CsI, що одержано вперше за допомогою методу АСМ на нанорівні. Встановлено дози електронного опромінення, за яких має місце радіоліз поверхні плівок CsI з "виділенням" нано- та мікрофаз і формування наноутворень на них. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В372.15
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|