Для вияснення мікроскопічних механізмів прискорення процесу оксидації Si за присутності моношару Cr проведено теоретичне дослідження взаємодії атомарного кисню з тонкою плівкою кремнію за присутності атомів Cr. За допомогою методів функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для тонкої плівки кремнію за присутності моноатомного шару Cr та атомарного кисню. Спостережено послаблення зв'язків Si - Si у шарах плівки кремнію, близьких до моношару Cr. Реактивність атомів Cr збільшується за їх неповної окисненості.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Балабай Руслана Михайлівна (фізико-математичні науки)
• Чернікова Оксана Миколаївна (економічні науки)
• Чернікова Олена Миколаївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"