Разработана модель плавного затвора, достаточно хорошо описывающая работу полевого алмазного СВЧ-транзистора. Используя данную модель можно рассчитать его характеристики по электрофизическим параметрам алмазной структуры с σ-легированным (водородом или бором) слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора. Рассчитанные основные параметры модельного СВЧ-транзистора достаточно хорошо согласуются с опубликованными экспериментальными результатами измерений реальных СВЧ-транзисторов.

Розроблено модель плавного затвору, яка досить добре описує роботу польового алмазного НВЧ-транзистора. Використовуючи дану модель можна розрахувати його характеристики за електрофізичними параметрами алмазної структури з σ-легованим (воднем або бором) шаром та за геометричними параметрами елементів транзистора. Розраховані основні параметри модельного НВЧ-транзистора досить добре узгоджуються з опублікованими експериментальними результатами вимірювань реальних НВЧ-транзисторів.

In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with σ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter transistor element. Proof, are calculated by us main parameters model RF-transistor, which it is enough close comply with published experimental result of the measurements real RF-transistors.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"