Melnik V. AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation / V. Melnik, V. Popov, D. Kruger, O. Oberemok // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 81-85. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Методами Оже-електронної та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії вивчено склад напилених та синтезованих імплантацією шарів нітриду титану, які застосовуються у мікроелектроніці. Дані Оже-спектрів характеризуються значним перекриттям найбільш інтегральних піків титану та азоту. Розроблено і випробувано простий емпіричний метод оцінки складу плівок на малих площах з використанням відношення інтенсивностей ліній Оже-спектрів. За допомогою імплантації вуглецю та кисню було модифіковано плівки TiN з метою вивчення впливу цих домішок на кількісний аналіз. На відміну від стандартного Оже-аналізу, використання запропонованого методу дає добре кількісне узгодження з даними фотоелектронної спектроскопії та результатами, отриманими за допомогою Principal Component Analysis. Знайдено, що наявність кисню в плівці не дозволяє використовувати стандартну методику проведення кількісного Оже-аналізу. Запропонований метод не має таких обмежень. Показано, що високий вміст вуглецю в плівці суттєво не впливає на можливість отримання кількісних результатів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1 + В372.6 + К235.160.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|