Baranskii P. I. Development of the physical insight into the nature of the factors that control electrophysical and other properties of semiconductors / P. I. Baranskii, V. M. Babich, Y. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 1-4. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Розглянуто еволюцію фізичних уявлень про природу головних чинників, під впливом яких формується енергетична структура напівпровідникових кристалів, і, відповідно, їх основні електрофізичні, оптичні, термоелектричні та навіть механічні властивості. До переліку цих чинників необхідно, в першу чергу, віднести: легувальні та залишкові домішки, власні точкові дефекти, протяжні дефекти (типу дислокацій), а також електрично активні термодонори та інші комплекси, які не є результатом прямої домішко-домішкової чи домішко-дефектної взаємодій. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|