Прямі та зворотні струми в гетероструктурі "аморфний SiC/pSi" вивчено в температурному діапазоні 30 - 80 К. З'ясовано, що в різних діапазонах напруги транспортний струм описується різними механізмами. Зарядження електронних пасток, розташованих у шарі SiC, збільшує прямий струм завдяки зменшенню потенціального бар'єра для дірок. У діапазоні прямих напруг 0,5 - 0,8 В струм визначається стрибковим механізмом зі змінною довжиною стрибка (механізм Мотта) в шарі аморфного SiC. За великих зміщень домінуючим механізмом транспортного струму стає тунелювання крізь трикутний бар'єр поблизу межі поділу "аморфний - кристалічний напівпровідник".

• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Гоменюк Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"