Sachenko A. V. Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si / A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 55-60. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Зроблені теоретичні розрахунки свідчать про те, що квантовий вихід міжзонної випромінювальної рекомбінації у високочистому кремнії, який характеризується надзвичайно низькою концентрацією глибоких домішок і власних дефектів, може перевищувати 10% за кімнатної температури, якщо поверхнева рекомбінація зведена до мінімуму. Проаналізовано залежності квантового виходу від інтенсивності і довжини хвилі збуджуючого монохроматичного світла, швидкості поверхневої рекомбінації і товщини кремнієвої пластини. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|