Досліджено спектри термостимульованої деполяризації (ТСД) поруватого кремнію (ПК) у температурному діапазоні 77 - 450 К. Виявлено ряд широких максимумів струму ТСД різної величини, що відповідають різним типам заряджених дефектів ПК. Проведено порівняльні дослідження спектрів ТСД шару поруватого кремнію та плівок діоксиду кремнію на монокристалічній кремнієвій підкладці. Встановлено ідентичність низькотемпературних (77 - 300 К) частин таких спектрів. Розраховано енергії активації дефектів і заповнення центрів захоплення ПК. Ідентифіковано низькотемпературні дефекти як іони воднево-кисневого типу. Встановлено вплив інфрачервоного та рентгенівського випромінювань на спектри ТСД поруватого кремнію. З урахуванням зміни спектрів ТСД запропоновано енергетичну схему іонного перенесення зарядів у ПК. Досліджено температурні зміни планарних вольт-амперних характеристик і частотної дисперсії ємності гетероструктур ПК - кремнієва підкладка. Аномальний характер залежностей пояснено особливостями іонного переносу зарядів у ПК.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"