Радіаційна стійкість напівпровідникових детекторів на основі кремнію, передусім, визначається швидкістю видалення точкових дефектів і скупчень кластерів дефектів. Тому введення електрично неактивної домішки кисню стимулює відведення потоку вакансій від легуючої домішки фосфору. Таким чином, навіть за умови більшого радіуса захоплення вакансій атомом фосфору, висока концентрація кисню пригнічує формування E-центрів. Використання методу трансмутаційного легування дозволяє отримати кремній підвищеної радіаційної стійкості. Попереднє опромінення нейтронами або зарядженими частинками з наступним відпалом також дозволяє підвищити його радіаційну стійкість. Це пов'язано з введенням до складу зазначеного зразка стоків для первинних радіаційних дефектів, що й обумовлює його підвищену радіаційну стійкість.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"