РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394743<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Tetyorkin V. 
Paraelectric Properties of PbTe Doped with Ga / V. Tetyorkin, S. Movchan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 300-303. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.

Статичну діелектричну сталу досліджено як функцію температури та концентрації носіїв у контактах Шоткі типу In(Cu)/p-PbTe. Монокристали PbTe, леговані галієм, використовувались як підкладки для виготовлення контактів. Доведено, що статична діелектрична стала відповідає закону Кюрі - Вейса з від'ємною температурою Кюрі для всіх досліджених зразків, з урахуванням тих, що мають найнижчі значення концентрації дірок. Отримано підтвердження, що температура Кюрі залежить від стану компенсації легованого PbTe. Підвищення рівня компенсації призводить до немонотонної залежності температури Кюрі від концентрації носіїв. Досліджено вплив сторонніх домішок і власних дефектів на статичну діелектричну сталу та температуру Кюрі.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського