Розглянуто особливості механізму необоротних фотоструктурних перетворень у шарах As-S-Se. Необоротні фотоструктурні перетворення в шарах As-S-Se починаються з початкового стану, який є термодинамічно нестабільним, відрізняється від структури стекол або відпаленої плівки (кінцевого стану, до якого прямує структура шарів під дією зовнішніх чинників) і визначається умовами виготовлення шарів As-S-Se. Для досліджених складів As-S-Se показано кореляцію особливостей композиційних залежностей дисперсійної енергії, оптичної діелектричної сталої для відпалених або опромінених шарів і структурно-залежних параметрів стекол As-S-Se: температури склування Tg, релаксаційної ентальпії (H), питомої теплоємності Cp. Необоротні фотоструктурні перетворення характеризуються відсутністю суттєвого впливу дифузійних процесів. Це пов'язано з високою концентрацією (до десятків атомних процентів) і, відповідно, безпосередньою близкістю нестехіометричних молекулярних фрагментів, що містять гомополярні (As-As, S-S (Se-Se)) зв'язки. Переключення зв'язків зі зменшенням числа гомополярних зв'язків, різних дефектів енергетично вигідно. Розгляд еволюції числа таких фрагментів (числа гомополярних зв'язків) внаслідок полімеризаційних процесів під дією опромінення, що наближає локальну структуру аморфних шарів до відповідної структури скла, дає експоненційний спад їх кількості у разі збільшення експозиції. Це знаходить експериментальне підтвердження в експоненційному спаді інтенсивності смуг КР, що відповідають наявності нестехіометричних молекулярних фрагментів, які містять гомополярні зв'язки.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"